碳化硅二極管（Schottky Barrier Diode，SBD）與Si二極管相比，顯著優(yōu)點(diǎn)是阻斷電壓提高，幾乎無反向恢復(fù)以及更好的熱穩(wěn)定性，且反向恢復(fù)特性不受溫度影響。

碳化硅二極管結(jié)合了肖特基結(jié)構(gòu)所擁有的出色的開關(guān)特性和PiN結(jié)構(gòu)所擁有的低漏電流的特點(diǎn)。